- Артикул: 00336704
- Количество в упаковке: 1
IPP410N30NAKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Fast diode technology
Industry best R DS(on) with more than 58% lower FOM
Hard commutation ruggedness
Optimized hard switching behavior
MOSFET транзистор N-Channel, 300В, 41 мОм, 65 нКл, TO-220AB
Industry best R DS(on) with more than 58% lower FOM
Hard commutation ruggedness
Optimized hard switching behavior
MOSFET транзистор N-Channel, 300В, 41 мОм, 65 нКл, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPP410N30NAKSA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001082134
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
300 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
41 мОм
Qg
(заряд затвора)
65 нКл
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Количество в упаковке
1
MOSFET транзистор IPP410N30NAKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPP410N30NAKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 300 В; Rds(on): 41 мОм; Qg: 65 нКл; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPP410N30NAKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 300 В; Rds(on): 41 мОм; Qg: 65 нКл; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.