- Артикул: 00383330
- Количество в упаковке: 30
IPP60R060P7XKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
600V P7 enables excellent FOM R DS(on)xE oss andR DS(on)xQ G
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 60 мОм, 67 нКл, TO-220AB
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 60 мОм, 67 нКл, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPP60R060P7XKSA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001658410
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
600 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
60 мОм
Qg
(заряд затвора)
67 нКл
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Количество в упаковке
30
MOSFET транзистор IPP60R060P7XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPP60R060P7XKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 60 мОм; Qg: 67 нКл; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPP60R060P7XKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 60 мОм; Qg: 67 нКл; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.