- Артикул: 00383323
- Количество в упаковке: 500
- Стандартная упаковка: Пенал
IPP60R099P7XKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
600V P7 enables excellent FOM R DS(on)xE oss andR DS(on)xQ G
MOSFET транзистор IPP60R099P7 SP001647032 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 99 мОм, 45 нКл, TO-220AB
MOSFET транзистор IPP60R099P7 SP001647032 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 99 мОм, 45 нКл, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPP60R099P7XKSA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001647032
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
99 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
600 В
Qg
(заряд затвора)
45 нКл
Размеры
Корпус
TO-220AB
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
500
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
1.66 МБ
MOSFET транзистор IPP60R099P7XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPP60R099P7XKSA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 99 мОм; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPP60R099P7XKSA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 99 мОм; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.