- Артикул: 00309070
- Количество в упаковке: 120
IPT020N10N3ATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPT020N10N3ATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001100160
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
100 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
2 мОм
Qg
(заряд затвора)
156 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
300 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°С~150°С
Размеры
Корпус
TOLL (HSOF-8)
Упаковка
Количество в упаковке
120
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
1.22 МБ
MOSFET транзистор IPT020N10N3ATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPT020N10N3ATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 2 мОм; Qg: 156 нКл; Id: 300 А; Корпус: TOLL (HSOF-8).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPT020N10N3ATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 2 мОм; Qg: 156 нКл; Id: 300 А; Корпус: TOLL (HSOF-8).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.