- Артикул: 00421238
- Количество в упаковке: 50
IPT030N12N3GATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPT030N12N3GATMA1
Серия
OptiMOS™
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP005348026
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
120 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
3 мОм
Qg
(заряд затвора)
198 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
24 А
Тип монтажа
Surface Mount
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Ёмкость
13000 пФ
Размеры
Корпус
8-PowerSFN
Типоразмер
PG-HSOF-8-1
Упаковка
Количество в упаковке
50
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
1.01 МБ
MOSFET транзистор IPT030N12N3GATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPT030N12N3GATMA1: OptiMOS™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 120 В; Rds(on): 3 мОм; Qg: 198 нКл; Id: 24 А; Корпус: 8-PowerSFN.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPT030N12N3GATMA1: OptiMOS™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 120 В; Rds(on): 3 мОм; Qg: 198 нКл; Id: 24 А; Корпус: 8-PowerSFN.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.