- Артикул: 00383881
- Количество в упаковке: 2000
- Стандартная упаковка: Катушка
IPT111N20NFDATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Industry‘s lowest R DS(on)
Highest current capability up to 300A
Very low package parasitics and inductances
MOSFET транзистор N-Channel, 200В, 11.1 мОм, 65 нКл, TO-Leadless (HSOF-8)
Highest current capability up to 300A
Very low package parasitics and inductances
MOSFET транзистор N-Channel, 200В, 11.1 мОм, 65 нКл, TO-Leadless (HSOF-8)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPT111N20NFDATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001340384
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
11,1 мОм
Qg
(заряд затвора)
65 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-Leadless (HSOF-8)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
2000
MOSFET транзистор IPT111N20NFDATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPT111N20NFDATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 11,1 мОм; Qg: 65 нКл; Корпус: TO-Leadless (HSOF-8).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPT111N20NFDATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 11,1 мОм; Qg: 65 нКл; Корпус: TO-Leadless (HSOF-8).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.