- Артикул: 00414113
- Количество в упаковке: 10
- Стандартная упаковка: Россыпь
IPT60R028G7XTMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
600VCoolMOSªG7PowerTransistor
MOSFET транзистор IPT60R028G7 SP001579312 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 650В, 28 мОм, 123 нКл, 47А, HSOF
MOSFET транзистор IPT60R028G7 SP001579312 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 650В, 28 мОм, 123 нКл, 47А, HSOF
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPT60R028G7XTMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001579312
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
28 мОм
Id
(ток стока)
47 А
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
650 В
Qg
(заряд затвора)
123 нКл
Размеры
Корпус
HSOF
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
10
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
992.74 КБ
MOSFET транзистор IPT60R028G7XTMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPT60R028G7XTMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 28 мОм; Id: 47 А; Корпус: HSOF.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPT60R028G7XTMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 28 мОм; Id: 47 А; Корпус: HSOF.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.