- Артикул: 00352033
- Количество в упаковке: 5
IPT60R050G7XTMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G
Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 50 мОм, 68 нКл, TO-Leadless (HSOF-8)
Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 50 мОм, 68 нКл, TO-Leadless (HSOF-8)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPT60R050G7XTMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001615912
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
600 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
50 мОм
Qg
(заряд затвора)
68 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-Leadless (HSOF-8)
Упаковка
Количество в упаковке
5
MOSFET транзистор IPT60R050G7XTMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPT60R050G7XTMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 50 мОм; Qg: 68 нКл; Корпус: TO-Leadless (HSOF-8).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPT60R050G7XTMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 50 мОм; Qg: 68 нКл; Корпус: TO-Leadless (HSOF-8).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.