- Артикул: 00383885
- Количество в упаковке: 5
- Стандартная упаковка: Коробка
IPT65R033G7XTMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Gives best-in-class FOM R DS(on)*E oss and R DS(on)*Q G
Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint
MOSFET транзистор N-Channel, 650В, 33 мОм, 110 нКл, TO-Leadless (HSOF-8)
Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint
MOSFET транзистор N-Channel, 650В, 33 мОм, 110 нКл, TO-Leadless (HSOF-8)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPT65R033G7XTMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001456202
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
650 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
33 мОм
Qg
(заряд затвора)
110 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-Leadless (HSOF-8)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Коробка
Количество в упаковке
5
MOSFET транзистор IPT65R033G7XTMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPT65R033G7XTMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 33 мОм; Qg: 110 нКл; Корпус: TO-Leadless (HSOF-8).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPT65R033G7XTMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 33 мОм; Qg: 110 нКл; Корпус: TO-Leadless (HSOF-8).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.