- Артикул: 00382982
- Количество в упаковке: 240
- Стандартная упаковка: Пенал
IPZ60R070P6FKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Reduced gate charge (Q g)
Higher V th
Good body diode ruggedness
Optimized integrated R g
Improved dv/dt from 50V/ns
CoolMOS™ quality with over 12 years manufacturing experience in superjunction technology
MOSFET транзистор IPZ60R070P6 SP001313880 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 70 мОм, 100 нКл, TO247-4
Higher V th
Good body diode ruggedness
Optimized integrated R g
Improved dv/dt from 50V/ns
CoolMOS™ quality with over 12 years manufacturing experience in superjunction technology
MOSFET транзистор IPZ60R070P6 SP001313880 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 70 мОм, 100 нКл, TO247-4
MOSFET транзистор IPZ60R070P6FKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPZ60R070P6FKSA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 70 мОм; Корпус: TO247-4.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPZ60R070P6FKSA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 70 мОм; Корпус: TO247-4.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.