- Артикул: 00383793
- Количество в упаковке: 50
- Стандартная упаковка: Пенал
IRF1018EPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор N-Channel, 60В, 8.4 мОм, 46 нКл, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRF1018EPBF
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001574502
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
60 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
8,4 мОм
Qg
(заряд затвора)
46 нКл
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
50
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
429.85 КБ
MOSFET транзистор IRF1018EPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRF1018EPBF: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 60 В; Rds(on): 8,4 мОм; Qg: 46 нКл; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRF1018EPBF: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 60 В; Rds(on): 8,4 мОм; Qg: 46 нКл; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.