- Артикул: 00383743
- Количество в упаковке: 1000
- Стандартная упаковка: Пенал
IRF200B211 Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор IRF200B211 SP001561622 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 200В, 170 мОм, 15.3 нКл, TO-220AB
MOSFET транзистор N-Channel, 200В, 170 мОм, 15.3 нКл, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRF200B211
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение пробоя сток-исток)
200 В
Rds(on)
(сопротивление открытого канала)
170 мОм
Id
(ток стока)
12 А
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C до +175°C
Qg
(заряд затвора)
15.3 нКл
Размеры
Корпус
TO-220AB
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
1000
MOSFET транзистор IRF200B211, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRF200B211: Полярность: N-Channel; Rds(on): 170 мОм; Id: 12 А; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRF200B211: Полярность: N-Channel; Rds(on): 170 мОм; Id: 12 А; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.