- Артикул: 00384131
- Количество в упаковке: 3000
- Стандартная упаковка: Катушка
IRF3575DTRPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор N + N, 25В, 0.9 мОм, 20 нКл, Power Block (PQFN 6x6)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRF3575DTRPBF
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001528872
Основные характеристики
Полярность
N + N
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
25 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
0,9 мОм
Qg
(заряд затвора)
20 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
Power Block (PQFN 6x6)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
3000
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
559.35 КБ
MOSFET транзистор IRF3575DTRPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRF3575DTRPBF: Полярность: N + N; V(br)dss: 25 В; Rds(on): 0,9 мОм; Qg: 20 нКл; Корпус: Power Block (PQFN 6x6).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRF3575DTRPBF: Полярность: N + N; V(br)dss: 25 В; Rds(on): 0,9 мОм; Qg: 20 нКл; Корпус: Power Block (PQFN 6x6).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.