- Артикул: 00420455
- Количество в упаковке: 800
- Стандартная упаковка: Катушка
IRF3808STRLPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRF3808STRLPBF
Серия
HEXFET®
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001559612
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
75 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
7 мОм
Qg
(заряд затвора)
220 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
106 А
Тип монтажа
Surface Mount
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Ёмкость
5310 пФ
Размеры
Корпус
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Типоразмер
D2PAK
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
800
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
264.22 КБ
MOSFET транзистор IRF3808STRLPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRF3808STRLPBF: HEXFET® Полярность: N-Channel; V(br)dss: 75 В; Rds(on): 7 мОм; Qg: 220 нКл; Id: 106 А; Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRF3808STRLPBF: HEXFET® Полярность: N-Channel; V(br)dss: 75 В; Rds(on): 7 мОм; Qg: 220 нКл; Id: 106 А; Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.