- Артикул: 00384395
- Количество в упаковке: 4800
- Стандартная упаковка: Катушка
IRF60DM206 Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор N-Channel, 60В, 2.9 мОм, 133 нКл, DirectFET
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRF60DM206
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001561876
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
60 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
2,9 мОм
Qg
(заряд затвора)
133 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
DirectFET
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
4800
MOSFET транзистор IRF60DM206, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRF60DM206: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 60 В; Rds(on): 2,9 мОм; Qg: 133 нКл; Корпус: DirectFET.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRF60DM206: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 60 В; Rds(on): 2,9 мОм; Qg: 133 нКл; Корпус: DirectFET.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.