- Артикул: 00215309
- Количество в упаковке: 50
- Стандартная упаковка: Пенал
IRF630NPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор N-Channel, 200В, 300 мОм, 35 нКл, 9.3А, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRF630NPBF
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001564792
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
300 мОм
Qg
(заряд затвора)
35 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
9.3 А
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
50
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
335.15 КБ
MOSFET транзистор IRF630NPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRF630NPBF: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 300 мОм; Qg: 35 нКл; Id: 9.3 А; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRF630NPBF: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 300 мОм; Qg: 35 нКл; Id: 9.3 А; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.