- Артикул: 00384392
- Количество в упаковке: 4800
- Стандартная упаковка: Катушка
IRF8302MTRPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор N with Schottky, 30В, 1.8 мОм, 35 нКл, 31А, DirectFET MZ
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRF8302MTRPBF
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001555742
Основные характеристики
Полярность
N with Schottky
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
30 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
1,8 мОм
Qg
(заряд затвора)
35 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
31 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-40°C~150°C
Размеры
Корпус
DirectFET MZ
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
4800
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
299.99 КБ
MOSFET транзистор IRF8302MTRPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRF8302MTRPBF: Полярность: N with Schottky; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 1,8 мОм; Qg: 35 нКл; Id: 31 А; Корпус: DirectFET MZ.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRF8302MTRPBF: Полярность: N with Schottky; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 1,8 мОм; Qg: 35 нКл; Id: 31 А; Корпус: DirectFET MZ.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.