- Артикул: 00384301
- Количество в упаковке: 4000
- Стандартная упаковка: Катушка
IRF8707GTRPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор N-Channel, 30В, 11.9 мОм, 6.2 нКл, 11А, SO-8
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRF8707GTRPBF
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001566566
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
30 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
11,9 мОм
Qg
(заряд затвора)
6,2 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
11 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
SO-8
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
4000
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
255.21 КБ
MOSFET транзистор IRF8707GTRPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRF8707GTRPBF: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 11,9 мОм; Qg: 6,2 нКл; Id: 11 А; Корпус: SO-8.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRF8707GTRPBF: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 11,9 мОм; Qg: 6,2 нКл; Id: 11 А; Корпус: SO-8.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.