- Артикул: 00384331
- Количество в упаковке: 4000
- Стандартная упаковка: Катушка
IRF9910TRPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор N + N, 20В, 9.3 мОм, 7 нКл, 10А, SO-8
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRF9910TRPBF
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001575370
Основные характеристики
Полярность
N + N
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
20 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
9,3 мОм
Qg
(заряд затвора)
7 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
10 А
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
D2PAK (TO-263)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
4000
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (2)
pdf
302.21 КБ
pdf
302.21 КБ
MOSFET транзистор IRF9910TRPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRF9910TRPBF: Полярность: N + N; V(br)dss: 20 В; Rds(on): 9,3 мОм; Qg: 7 нКл; Id: 10 А; Корпус: D2PAK (TO-263).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRF9910TRPBF: Полярность: N + N; V(br)dss: 20 В; Rds(on): 9,3 мОм; Qg: 7 нКл; Id: 10 А; Корпус: D2PAK (TO-263).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.