- Артикул: 00422116
- Количество в упаковке: 800
- Стандартная упаковка: Катушка
IRF9Z34NSTRRPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор IRF9Z34NSTRRPBF TO-262 P-канал -55В 100мОм 23.3нКл SP001551716 INF
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRF9Z34NSTRRPBF
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001551716
Основные характеристики
Полярность
P-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
100 мОм
Id
(ток стока)
19 А
Тип монтажа
Surface Mount
Диапазон рабочих температур
-55°C до +175°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
55 В
Qg
(заряд затвора)
35 нКл
Размеры
Корпус
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Типоразмер
D2PAK
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
800
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
1.08 МБ
MOSFET транзистор IRF9Z34NSTRRPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRF9Z34NSTRRPBF: HEXFET® Полярность: P-Channel; Rds(on): 100 мОм; Id: 19 А; Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRF9Z34NSTRRPBF: HEXFET® Полярность: P-Channel; Rds(on): 100 мОм; Id: 19 А; Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.