- Артикул: 00383751
- Количество в упаковке: 1000
- Стандартная упаковка: Пенал
IRFB23N20DPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор N-Channel, 200В, 100 мОм, 57 нКл, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRFB23N20DPBF
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001564048
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
100 мОм
Qg
(заряд затвора)
57 нКл
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
1000
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
285.97 КБ
MOSFET транзистор IRFB23N20DPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRFB23N20DPBF: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 100 мОм; Qg: 57 нКл; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRFB23N20DPBF: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 100 мОм; Qg: 57 нКл; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.