- Артикул: 00195489
- Количество в упаковке: 50
- Стандартная упаковка: Пенал
IRFB260NPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRFB260NPBF
Серия
HEXFET®
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001551726
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
40 мОм
Qg
(заряд затвора)
220 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
56 А
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Ёмкость
4220 пФ
Размеры
Корпус
TO-220-3
Типоразмер
TO-220AB
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
50
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
DataSheet IRFB260N IR
Английский язык
pdf
90.71 КБ
MOSFET транзистор IRFB260NPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRFB260NPBF: HEXFET® Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 40 мОм; Qg: 220 нКл; Id: 56 А; Корпус: TO-220-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRFB260NPBF: HEXFET® Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 40 мОм; Qg: 220 нКл; Id: 56 А; Корпус: TO-220-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.