- Артикул: 00349593
- Количество в упаковке: 4000
- Стандартная упаковка: Мультиплата
IRFH4253DTRPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор SP001556246 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 25В, 4.6 / 1.45 мОм, 10 / 31 нКл, 35 /35А, PQFN 5X6 E
MOSFET транзистор N-Channel, 25В, 4.6 / 1.45 мОм, 10 / 31 нКл, 35 /35А, PQFN 5X6 E
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRFH4253DTRPBF
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001556246
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
4.6 мОм / 1.45 мОм
Id
(ток стока)
35 / 35 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
25 В
Qg
(заряд затвора)
10 нКл / 31 нКл
Размеры
Корпус
PQFN 5 x 6 E
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Мультиплата
Количество в упаковке
4000
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
600.82 КБ
MOSFET транзистор IRFH4253DTRPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRFH4253DTRPBF: Полярность: N-Channel; Rds(on): 4.6 мОм / 1.45 мОм; Id: 35 / 35 А; Корпус: PQFN 5 x 6 E.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRFH4253DTRPBF: Полярность: N-Channel; Rds(on): 4.6 мОм / 1.45 мОм; Id: 35 / 35 А; Корпус: PQFN 5 x 6 E.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.