- Артикул: 00355609
- Количество в упаковке: 1307
- Стандартная упаковка: Катушка
IRFH5010TRPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор IRFH5010TRPBF SP001560282 IRF
MOSFET транзистор N-Channel, 100В, 9 мОм, 67 нКл, 100А, PQFN 5X6 E
MOSFET транзистор N-Channel, 100В, 9 мОм, 67 нКл, 100А, PQFN 5X6 E
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRFH5010TRPBF
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001560282
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
9 мОм
Id
(ток стока)
100 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
100 В
Qg
(заряд затвора)
67 нКл
Размеры
Корпус
PQFN 5 x 6 E
Типоразмер
PG-TDSON-8-906
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
1307
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
278.51 КБ
MOSFET транзистор IRFH5010TRPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRFH5010TRPBF: Полярность: N-Channel; Rds(on): 9 мОм; Id: 100 А; Корпус: PQFN 5 x 6 E.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRFH5010TRPBF: Полярность: N-Channel; Rds(on): 9 мОм; Id: 100 А; Корпус: PQFN 5 x 6 E.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.