- Артикул: 00308238
- Количество в упаковке: 20
- Стандартная упаковка: Россыпь
IRFH7185TRPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор IRFH7185TRPBF SP001566602 IRF
MOSFET транзистор N-Channel, 100В, 5.2 мОм, 36 нКл, 123А, PQFN 5X6 E
MOSFET транзистор N-Channel, 100В, 5.2 мОм, 36 нКл, 123А, PQFN 5X6 E
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRFH7185TRPBF
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение пробоя сток-исток)
100 В
Rds(on)
(сопротивление открытого канала)
5.2 мОм
Id
(ток стока)
123 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
Qg
(заряд затвора)
36 нКл
Размеры
Корпус
PQFN 5 x 6 E
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
20
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (2)
pdf
538.05 КБ
pdf
541.88 КБ
MOSFET транзистор IRFH7185TRPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRFH7185TRPBF: Полярность: N-Channel; Rds(on): 5.2 мОм; Id: 123 А; Корпус: PQFN 5 x 6 E.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRFH7185TRPBF: Полярность: N-Channel; Rds(on): 5.2 мОм; Id: 123 А; Корпус: PQFN 5 x 6 E.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.