- Артикул: 00376154
- Количество в упаковке: 20
IRL100HS121 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Lowest FOM (R DS(on) x Q g/gd)
Optimized Q g, C oss, and Q rr for fast switching
Logic level compatibility
Tiny PQFN 2x2mm package
MOSFET транзистор N-Channel, 100В, 42 мОм, 3.7 нКл, PQFN 2 X 2
Optimized Q g, C oss, and Q rr for fast switching
Logic level compatibility
Tiny PQFN 2x2mm package
MOSFET транзистор N-Channel, 100В, 42 мОм, 3.7 нКл, PQFN 2 X 2
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRL100HS121
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001592836
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
100 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
42 мОм
Qg
(заряд затвора)
3,7 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
PQFN 2 X 2
Упаковка
Количество в упаковке
20
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
1.06 МБ
MOSFET транзистор IRL100HS121, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRL100HS121: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 42 мОм; Qg: 3,7 нКл; Корпус: PQFN 2 X 2.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRL100HS121: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 42 мОм; Qg: 3,7 нКл; Корпус: PQFN 2 X 2.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.