- Артикул: 00445747
- Количество в упаковке: 3000
- Стандартная упаковка: Катушка
Si2333DDS-T1-GE3 Vishay
Краткое описание
Код товара у производителя: Si2333DDS-T1-GE3
Производитель: Vishay
Спецификация
MOSFET транзистор 12V 6A VIS
Код товара производителя
Si2333DDS-T1-GE3
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
P-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
28 мОм
Id
(ток стока)
6 А
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
-12 В
Qg
(заряд затвора)
9 нКл
Размеры
Корпус
TO-236 (SOT-23)
Типоразмер
TO-236 (SOT-23)
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
3000
MOSFET транзистор Si2333DDS-T1-GE3, производителя Vishay
Ключевые параметры компонента Si2333DDS-T1-GE3: Полярность: P-Channel; Rds(on): 28 мОм; Id: 6 А; Корпус: TO-236 (SOT-23).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента Si2333DDS-T1-GE3: Полярность: P-Channel; Rds(on): 28 мОм; Id: 6 А; Корпус: TO-236 (SOT-23).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.