- Артикул: 00417308
SI7288DP-T1-GE3 Vishay
Краткое описание
Код товара у производителя: SI7288DP-T1-GE3
Производитель: Vishay
Спецификация
Производитель
Vishay
Код товара производителя
SI7288DP-T1-GE3
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N/N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
40 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
19 мОм/22 мОм
Qg
(заряд затвора)
4,9 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
20 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°С~150°С
Размеры
Корпус
PowerPAK® SO-8 Dual
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
333.81 КБ
MOSFET транзистор SI7288DP-T1-GE3, производителя Vishay
Ключевые параметры компонента SI7288DP-T1-GE3: Полярность: N/N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 19 мОм/22 мОм; Qg: 4,9 нКл; Id: 20 А; Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SI7288DP-T1-GE3: Полярность: N/N-Channel; V(br)dss: 40 В; Rds(on): 19 мОм/22 мОм; Qg: 4,9 нКл; Id: 20 А; Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.