- Артикул: 00447045
- Количество в упаковке: 20
- Стандартная упаковка: Россыпь
SIHG21N80AEF-GE3 Vishay
Краткое описание
Код товара у производителя: SIHG21N80AEF-GE3
Производитель: Vishay
Спецификация
MOSFET транзистор MOSFET N-CHANNEL 800V VIS
Код товара производителя
SIHG21N80AEF-GE3
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel with Fast Body Diode
V(br)dss
(напряжение пробоя сток-исток)
850 В
Rds(on)
(сопротивление открытого канала)
220 мОм
Id
(ток стока)
10.3 А
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
Qg
(заряд затвора)
71 нКл
Размеры
Корпус
TO-247AC
Типоразмер
TO-247AC
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
20
MOSFET транзистор SIHG21N80AEF-GE3, производителя Vishay
Ключевые параметры компонента SIHG21N80AEF-GE3: Полярность: N-Channel with Fast Body Diode; Rds(on): 220 мОм; Id: 10.3 А; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SIHG21N80AEF-GE3: Полярность: N-Channel with Fast Body Diode; Rds(on): 220 мОм; Id: 10.3 А; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.