- Артикул: 00271365
- Количество в упаковке: 100
- Стандартная упаковка: Россыпь
SPD30P06PGBTMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор SPD30P06P G SP000441776 INF
MOSFET транзистор P-Channel, -60В, 75 мОм, 32 нКл, DPak (TO-252)
MOSFET транзистор P-Channel, -60В, 75 мОм, 32 нКл, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
SPD30P06PGBTMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000441776
Основные характеристики
Полярность
P-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
75 мОм
Id
(ток стока)
-30 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C до +175°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
-60 В
Qg
(заряд затвора)
32 нКл
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Типоразмер
DPAK (TO-252)
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
100
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
500.83 КБ
MOSFET транзистор SPD30P06PGBTMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SPD30P06PGBTMA1: Полярность: P-Channel; Rds(on): 75 мОм; Id: -30 А; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SPD30P06PGBTMA1: Полярность: P-Channel; Rds(on): 75 мОм; Id: -30 А; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.