- Артикул: 00430402
- Количество в упаковке: 3000
WMB080N10LG2 WayOn
Краткое описание
Код товара у производителя: WMB080N10LG2
Производитель: WayOn
Спецификация
Производитель
WayOn
Код товара производителя
WMB080N10LG2
Серия
SGT N Channel Power MOSFET
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
100 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
8 мОм
Qg
(заряд затвора)
24 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
74 А
VGS
(Напряжение насыщения затвор-исток)
1,8 В
VGS(th)Typ.
(Пороговое напряжение включения транзистора)
±20 В
Размеры
Корпус
PDFN5*6-8L
Упаковка
Количество в упаковке
3000
MOSFET транзистор WMB080N10LG2, производителя WayOn
Ключевые параметры компонента WMB080N10LG2: SGT N Channel Power MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 8 мОм; Qg: 24 нКл; Id: 74 А; Корпус: PDFN5*6-8L.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента WMB080N10LG2: SGT N Channel Power MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 8 мОм; Qg: 24 нКл; Id: 74 А; Корпус: PDFN5*6-8L.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.