- Артикул: 00429554
- Количество в упаковке: 800
- Стандартная упаковка: Катушка
WML11N80M3 WayOn
Краткое описание
Код товара у производителя: WML11N80M3
Производитель: WayOn
Спецификация
MOSFET транзистор WAYON
Производитель
WayOn
Код товара производителя
WML11N80M3
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
0.8 Ом
Id
(ток стока)
10.5 А
PD@TA=25℃
(рассеиваемая мощность при TC = 25°C)
31 Вт
VGS
(напряжение насыщения затвор-исток)
30 В
VGS(th)Typ.
(пороговое напряжение включения транзистора)
3.3 В
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
800 В
Qg
(заряд затвора)
30.5 нКл
Размеры
Корпус
TO-220F
Типоразмер
TO-220F
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
800
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
DataSheet WMx11N80M3 CYG WayOn
Английский язык
pdf
593.2 КБ
WML11N80M3 WayOn
Аналоги
| Infineon | IPA80R650CEXKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 650 мОм; Корпус: TO-220AB | Под заказ | 57.25 руб./шт. |
|
IPA80R650CEXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IPA80R650CEXKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 650 мОм; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ
50 Штук в Пенале
от 1 шт.
57.25 руб./шт.
|
|||
| Infineon | IPA80R650CEXKSA2 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 650 мОм; Корпус: TO-220AB | Под заказ | - |
|
IPA80R650CEXKSA2 Infineon
Полная карточка товара
IPA80R650CEXKSA2 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 650 мОм; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ
50 Штук в Пенале
|
|||
| Infineon | SPA08N80C3XKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 650 мОм; Id: 5.1 А; Корпус: TO-220 FP | Под заказ | 111.17 руб./шт. |
|
SPA08N80C3XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SPA08N80C3XKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 650 мОм; Id: 5.1 А; Корпус: TO-220 FP
Добавить в избранное
Под заказ
500 Штук в Пенале
от 1 шт.
111.17 руб./шт.
|
|||
MOSFET транзистор WML11N80M3, производителя WayOn
Ключевые параметры компонента WML11N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; Rds(on): 0.8 Ом; Id: 10.5 А; Корпус: TO-220F.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента WML11N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; Rds(on): 0.8 Ом; Id: 10.5 А; Корпус: TO-220F.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.