- Артикул: 00429554
- Количество в упаковке: 800
- Стандартная упаковка: Катушка
WML11N80M3 WayOn
Краткое описание
Код товара у производителя: WML11N80M3
Производитель: WayOn
Спецификация
Производитель
WayOn
Код товара производителя
WML11N80M3
Серия
SJ-MOS M3
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
800 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
0,8 Ом
Qg
(заряд затвора)
30,5 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
10,5 А
PD@TA=25℃
(Рассеиваемая мощность при TC = 25°C)
85 Вт
VGS
(Напряжение насыщения затвор-исток)
3,3 В
VGS(th)Typ.
(Пороговое напряжение включения транзистора)
30 В
Размеры
Корпус
TO-220F
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
800
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
593.2 КБ
WML11N80M3 WayOn
Аналоги
| Infineon | MOSFET транзистор IPA80R650CEXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 650 мОм; Qg: 45 нКл; Корпус: TO-220AB | Под заказ | 66.07 руб./шт. |
|
IPA80R650CEXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор IPA80R650CEXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 650 мОм; Qg: 45 нКл; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ
50 Штук в Пенале
от 1 шт.
66.07 руб./шт.
|
|||
| Infineon | MOSFET транзистор IPA80R650CEXKSA2; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 650 мОм; Qg: 45 нКл; Корпус: TO-220AB | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
IPA80R650CEXKSA2 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор IPA80R650CEXKSA2; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 650 мОм; Qg: 45 нКл; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ
50 Штук в Пенале
|
|||
| Infineon | MOSFET транзистор SPA08N80C3XKSA1; Производитель: Infineon | Под заказ | 128.28 руб./шт. |
|
SPA08N80C3XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор SPA08N80C3XKSA1; Производитель: Infineon
Добавить в избранное
Под заказ
500 Штук в Пенале
от 1 шт.
128.28 руб./шт.
|
|||
MOSFET транзистор WML11N80M3, производителя WayOn
Ключевые параметры компонента WML11N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,8 Ом; Qg: 30,5 нКл; Id: 10,5 А; Корпус: TO-220F.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента WML11N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,8 Ом; Qg: 30,5 нКл; Id: 10,5 А; Корпус: TO-220F.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.