- Артикул: 00419263
- Количество в упаковке: 50
- Стандартная упаковка: Пенал
WML26N60C4 WayOn
Краткое описание
Код товара у производителя: WML26N60C4
Производитель: WayOn
Спецификация
Производитель
WayOn
Код товара производителя
WML26N60C4
Серия
SJ-MOS C4
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
600 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
0.19 Ом
Qg
(заряд затвора)
22.1 нКл
Id
(ток стока)
18 А
PD@TA=25℃
(рассеиваемая мощность при TC = 25°C)
31 Вт
VGS
(напряжение насыщения затвор-исток)
30 В
VGS(th)Typ.
(пороговое напряжение включения транзистора)
3 В
Размеры
Корпус
TO-220F
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
50
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
DataSheet WMx26N60C4 V2.1 WayOn
Английский язык
pdf
681.68 КБ
WML26N60C4 WayOn
Аналоги
| Infineon | MOSFET транзистор SPP24N60C3XKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 160 мОм; Qg: 104.9 нКл; Корпус: TO-220AB | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
MOSFET транзистор SPP24N60C3 SP000681068 INF
Полная карточка товара
MOSFET транзистор SPP24N60C3XKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 160 мОм; Qg: 104.9 нКл; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ
500 Штук в Пенале
|
|||
| Infineon | IPP60R160P6XKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 160 мОм; Qg: 44 нКл; Id: 68 А; Корпус: TO-220AB | Под заказ | 193.82 руб./шт. |
|
IPP60R160P6XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IPP60R160P6XKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 160 мОм; Qg: 44 нКл; Id: 68 А; Корпус: TO-220AB
Добавить в избранное
Под заказ
500 Штук в Пенале
от 1 шт.
193.82 руб./шт.
|
|||
| Infineon | IPP60R160P7XKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 160 мОм; Qg: 31 нКл; Id: 66 А; Корпус: PG-TO220 | Под заказ | 165.14 руб./шт. |
|
IPP60R160P7XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IPP60R160P7XKSA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 160 мОм; Qg: 31 нКл; Id: 66 А; Корпус: PG-TO220
Добавить в избранное
Под заказ
500 Штук в Пенале
от 1 шт.
165.14 руб./шт.
|
|||
MOSFET транзистор WML26N60C4, производителя WayOn
Ключевые параметры компонента WML26N60C4: SJ-MOS C4 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.19 Ом; Qg: 22.1 нКл; Id: 18 А; Корпус: TO-220F.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента WML26N60C4: SJ-MOS C4 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.19 Ом; Qg: 22.1 нКл; Id: 18 А; Корпус: TO-220F.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.