- Артикул: 00288014
- Количество в упаковке: 2
FD150R12RT4HOSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Extended Operation Temperature T vj op
Low Switching Losses
Low V CEsat
T vj op = 150°C
V CEsat with positive Temperature Coefficient
Isolated Base Plate
Standard Housing
IGBT модуль 150А, 1200В, Chopper, 34mm
Low Switching Losses
Low V CEsat
T vj op = 150°C
V CEsat with positive Temperature Coefficient
Isolated Base Plate
Standard Housing
IGBT модуль 150А, 1200В, Chopper, 34mm
Производитель
Infineon
Код товара производителя
FD150R12RT4HOSA1
Серия
IGBT4
Наименование класса номенклатуры
IGBT модуль
OPN
SP000711858
Основные характеристики
Ic (nom)
(номинальный ток коллектора)
150 А
Vce (max)
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
Конфигурация
Chopper
Размеры
Корпус
34mm
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Количество в упаковке
2
IGBT модуль FD150R12RT4HOSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента FD150R12RT4HOSA1: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 150 А; Vce (max): 1200 В; Конфигурация: Chopper; Корпус: 34mm.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента FD150R12RT4HOSA1: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 150 А; Vce (max): 1200 В; Конфигурация: Chopper; Корпус: 34mm.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.