Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

Статьи

ПОВЫШЕНИЕ НАДЕЖНОСТИ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ SiC MOSFET

Чтобы удовлетворить требования к эффективности SiC MOSFET, при проектировании необходимо уделить особое внимание обеспечению надежности, а также точно выбрать толщину оксидного слоя затвора.Тщательное тестирование должно подтвердить соответствие приложения заданным параметрам.

Фильтр статей

Производители

Темы

Категории статей

Авторы

1