- Артикул: 00362953
- Количество в упаковке: 1315
- Стандартная упаковка: Полупроводниковая пластина
IGC142T120T8RH Infineon
Краткое описание
Спецификация
1200V TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology
Low V CE(sat)
Soft turn-off
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
IGBT кристалл 1200 В, 150А, IGBT4 High Power
Low V CE(sat)
Soft turn-off
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
IGBT кристалл 1200 В, 150А, IGBT4 High Power
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IGC142T120T8RH
Наименование класса номенклатуры
IGBT кристалл
OPN
SP000945388
Основные характеристики
Vce
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
150 А
Технология
IGBT4 High Power
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Полупроводниковая пластина
Количество в упаковке
1315
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
322.5 КБ
IGBT кристалл IGC142T120T8RH, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGC142T120T8RH: Vce: 1200 В; I c: 150 А; Технология: IGBT4 High Power.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IGC142T120T8RH: Vce: 1200 В; I c: 150 А; Технология: IGBT4 High Power.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.