- Артикул: 00363117
- Количество в упаковке: 1310
- Стандартная упаковка: Мультиплата
IGC142T120T8RLX1SA2 Infineon
Краткое описание
Спецификация
1200V TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology
Low switching losses
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
IGBT кристалл 1200 В, 150А, IGBT4 Low Power
Low switching losses
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
IGBT кристалл 1200 В, 150А, IGBT4 Low Power
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IGC142T120T8RLX1SA2
Наименование класса номенклатуры
IGBT кристалл
OPN
SP000945406
Основные характеристики
Vce
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
150 А
Технология
IGBT4 Low Power
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Мультиплата
Количество в упаковке
1310
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
338.02 КБ
IGBT кристалл IGC142T120T8RLX1SA2, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGC142T120T8RLX1SA2: Vce: 1200 В; I c: 150 А; Технология: IGBT4 Low Power.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IGC142T120T8RLX1SA2: Vce: 1200 В; I c: 150 А; Технология: IGBT4 Low Power.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.