- Артикул: 00407191
- Количество в упаковке: 1601
- Стандартная упаковка: Полупроводниковая пластина
IGC168T170S8RHX1SA3 Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT кристалл IGC168T170S8RH SP000794686 INF
IGBT кристалл 1700 В, 150А, IGBT3 High Power
IGBT кристалл 1700 В, 150А, IGBT3 High Power
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IGC168T170S8RHX1SA3
Наименование класса номенклатуры
IGBT кристалл
OPN
SP000794686
Основные характеристики
Vce
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1700 В
I c
(постоянный ток коллектора)
150 А
Технология
IGBT3 High Power
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Полупроводниковая пластина
Количество в упаковке
1601
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
173.34 КБ
IGBT кристалл IGC168T170S8RHX1SA3, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGC168T170S8RHX1SA3: Vce: 1700 В; I c: 150 А; Технология: IGBT3 High Power.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IGC168T170S8RHX1SA3: Vce: 1700 В; I c: 150 А; Технология: IGBT3 High Power.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.