00407191
IGC168T170S8RHX1SA3 Infineon
Производитель
Спецификация:
IGBT кристалл IGC168T170S8RHX1SA3, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGC168T170S8RHX1SA3: Vce: 1700 В; I c: 150 А; Технология: IGBT3 High Power.
Ключевые параметры компонента IGC168T170S8RHX1SA3: Vce: 1700 В; I c: 150 А; Технология: IGBT3 High Power.
Читать подробнее
Производитель
Спецификация:
IGBT кристалл IGC168T170S8RHX1SA3, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGC168T170S8RHX1SA3: Vce: 1700 В; I c: 150 А; Технология: IGBT3 High Power.
Ключевые параметры компонента IGC168T170S8RHX1SA3: Vce: 1700 В; I c: 150 А; Технология: IGBT3 High Power.
Читать подробнее
Основные характеристики
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.