Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

IGC50T120T8RQX1SA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: IGC50T120T8RQX1SA1 Производитель: Infineon OPN: SP000945486
IGC50T120T8RQX1SA1 Infineon
  • Артикул: 00375534
  • Количество в упаковке: 1
  • Стандартная упаковка: Полупроводниковая пластина

Спецификация

Positive temperature coefficient
Easy paralleling

IGBT кристалл 1200 В, 50А, IGBT HighSpeed 3
Производитель Infineon
Код товара производителя IGC50T120T8RQX1SA1
Наименование класса номенклатуры IGBT кристалл
OPN SP000945486
Основные характеристики
Vce (максимальное напряжение коллектор-эмиттер) 1200 В
I c (постоянный ток коллектора) 50 А
Технология IGBT HighSpeed 3
Упаковка
Упаковка (стандартная) Полупроводниковая пластина
Количество в упаковке 1

Документация и файлы для загрузки

раскрыть все

Datasheets (1)


Под заказ
1 Штука в Полупроводниковая пластина

Цена последней продажи

Запросить условия поставки
IGBT кристалл IGC50T120T8RQX1SA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGC50T120T8RQX1SA1: Vce: 1200 В; I c: 50 А; Технология: IGBT HighSpeed 3.

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.