- Артикул: 00375535
- Количество в упаковке: 2090
- Стандартная упаковка: Полупроводниковая пластина
IGC70T120T8RQX1SA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
IGBT кристалл 1200 В, 75А, IGBT HighSpeed 3
Easy paralleling
IGBT кристалл 1200 В, 75А, IGBT HighSpeed 3
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IGC70T120T8RQX1SA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT кристалл
OPN
SP000945504
Основные характеристики
Vce
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
75 А
Технология
IGBT HighSpeed 3
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Полупроводниковая пластина
Количество в упаковке
2090
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
327.24 КБ
IGBT кристалл IGC70T120T8RQX1SA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGC70T120T8RQX1SA1: Vce: 1200 В; I c: 75 А; Технология: IGBT HighSpeed 3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IGC70T120T8RQX1SA1: Vce: 1200 В; I c: 75 А; Технология: IGBT HighSpeed 3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.