- Артикул: 00406494
- Количество в упаковке: 515
- Стандартная упаковка: Россыпь
SIGC186T170R3EX1SA5 Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT кристалл SIGC186T170R3E SP001226550 INF
IGBT кристалл 1700 В, 150А, IGBT3
IGBT кристалл 1700 В, 150А, IGBT3
Производитель
Infineon
Код товара производителя
SIGC186T170R3EX1SA5
Наименование класса номенклатуры
IGBT кристалл
OPN
SP001226550
Основные характеристики
Vce
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1700 В
I c
(постоянный ток коллектора)
150 А
Технология
IGBT3
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
515
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
121.92 КБ
IGBT кристалл SIGC186T170R3EX1SA5, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SIGC186T170R3EX1SA5: Vce: 1700 В; I c: 150 А; Технология: IGBT3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SIGC186T170R3EX1SA5: Vce: 1700 В; I c: 150 А; Технология: IGBT3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.