- Артикул: 00357852
- Количество в упаковке: 455
- Стандартная упаковка: Мультиплата
SIGC57T120R3LEX1SA5 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Low turn-off losses
Short tail current
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
IGBT кристалл 1200 В, 50А, IGBT3
Short tail current
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
IGBT кристалл 1200 В, 50А, IGBT3
Производитель
Infineon
Код товара производителя
SIGC57T120R3LEX1SA5
Наименование класса номенклатуры
IGBT кристалл
OPN
SP001226554
Основные характеристики
Vce
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
50 А
Технология
IGBT3
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Мультиплата
Количество в упаковке
455
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
342.48 КБ
IGBT кристалл SIGC57T120R3LEX1SA5, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SIGC57T120R3LEX1SA5: Vce: 1200 В; I c: 50 А; Технология: IGBT3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SIGC57T120R3LEX1SA5: Vce: 1200 В; I c: 50 А; Технология: IGBT3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.