- Артикул: 00339657
- Количество в упаковке: 890
- Стандартная упаковка: Полупроводниковая пластина
SIGC84T120R3LEX1SA7 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Low turn-off losses
Short tail current
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
IGBT кристалл 1200 В, 75А, IGBT3
Short tail current
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
IGBT кристалл 1200 В, 75А, IGBT3
Производитель
Infineon
Код товара производителя
SIGC84T120R3LEX1SA7
Наименование класса номенклатуры
IGBT кристалл
OPN
SP001226558
Основные характеристики
Vce
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
75 А
Технология
IGBT3
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Полупроводниковая пластина
Количество в упаковке
890
IGBT кристалл SIGC84T120R3LEX1SA7, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SIGC84T120R3LEX1SA7: Vce: 1200 В; I c: 75 А; Технология: IGBT3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SIGC84T120R3LEX1SA7: Vce: 1200 В; I c: 75 А; Технология: IGBT3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.