SIGC84T120R3LEX1SA7 Infineon
Артикул
00339657
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
IGBT кристалл SIGC84T120R3LEX1SA7, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SIGC84T120R3LEX1SA7: Vce: 1200 В; I c: 75 А; Технология: IGBT3.
Ключевые параметры компонента SIGC84T120R3LEX1SA7: Vce: 1200 В; I c: 75 А; Технология: IGBT3.
Читать подробнее
от 1 шт
691.37 руб./шт
от 691.37 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 691.37/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
691.37 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
IGBT кристалл SIGC84T120R3LEX1SA7, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SIGC84T120R3LEX1SA7: Vce: 1200 В; I c: 75 А; Технология: IGBT3.
Ключевые параметры компонента SIGC84T120R3LEX1SA7: Vce: 1200 В; I c: 75 А; Технология: IGBT3.
Читать подробнее
Основные характеристики
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.