- Артикул: 00360634
- Количество в упаковке: 318
- Стандартная упаковка: Пакет
SIGC76T65R3EX1SA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Low turn-off losses
Short tail current
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
IGBT кристалл 650 В, 150А, IGBT3
Short tail current
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
IGBT кристалл 650 В, 150А, IGBT3
Производитель
Infineon
Код товара производителя
SIGC76T65R3EX1SA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT кристалл
OPN
SP000685884
Основные характеристики
Vce
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
650 В
I c
(постоянный ток коллектора)
150 А
Технология
IGBT3
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пакет
Количество в упаковке
318
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
331.02 КБ
IGBT кристалл SIGC76T65R3EX1SA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SIGC76T65R3EX1SA1: Vce: 650 В; I c: 150 А; Технология: IGBT3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SIGC76T65R3EX1SA1: Vce: 650 В; I c: 150 А; Технология: IGBT3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.