IGLT65R025D2 Infineon
Артикул
00478016
Производитель
Спецификация:
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы IGLT65R025D2, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGLT65R025D2: Vds: 650 В; I к.макс.: 84 А.
Ключевые параметры компонента IGLT65R025D2: Vds: 650 В; I к.макс.: 84 А.
Читать подробнее
Производитель
Спецификация:
Нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы IGLT65R025D2, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGLT65R025D2: Vds: 650 В; I к.макс.: 84 А.
Ключевые параметры компонента IGLT65R025D2: Vds: 650 В; I к.макс.: 84 А.
Читать подробнее
Основные характеристики
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
