Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

IPD60R1K5CEATMA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: IPD60R1K5CEATMA1 Производитель: Infineon OPN: SP001276036
IPD60R1K5CEATMA1 Infineon
  • Артикул: 00317197
  • Количество в упаковке: 1

Спецификация

Narrow margins between typical and max R DS(on)
Reduced energy stored in output capacitance (E oss)
Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr)
Optimized integrated R g

MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 1500 мОм, 9.4 нКл, DPak (TO-252)
Производитель Infineon
Код товара производителя IPD60R1K5CEATMA1
Наименование класса номенклатуры MOSFET транзистор
OPN SP001276036
Основные характеристики
Полярность N-Channel
V(br)dss (напряжение сток-исток) 600 В
Rds(on) (сопротивление канала) 1500 мОм
Qg (заряд затвора) 9,4 нКл
Тип монтажа SMD/SMT
Диапазон рабочих температур -40°C~150°C
Размеры
Корпус DPak (TO-252)
Упаковка
Количество в упаковке 1
Под заказ
Поштучная продажа
от 1 шт. 17.38 руб./шт.

Цена последней продажи

Запросить условия поставки
MOSFET транзистор IPD60R1K5CEATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD60R1K5CEATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 1500 мОм; Qg: 9,4 нКл; Корпус: DPak (TO-252).

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.