- Артикул: 00317196
- Количество в упаковке: 100
IPD65R650CEATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Narrow margins between typical and max R DS(on)
Reduced energy stored in output capacitance (E oss)
Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr)
Optimized integrated R g
MOSFET транзистор N-Channel, 650В, 650 мОм, 23 нКл, DPak (TO-252)
Reduced energy stored in output capacitance (E oss)
Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr)
Optimized integrated R g
MOSFET транзистор N-Channel, 650В, 650 мОм, 23 нКл, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPD65R650CEATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001295798
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
650 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
650 мОм
Qg
(заряд затвора)
23 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-40°C~150°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Упаковка
Количество в упаковке
100
IPD65R650CEATMA1 Infineon
Аналоги
| WayOn | MOSFET транзистор WMO08N60C4; SJ-MOS C4 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,78 Ом; Qg: 7,3 нКл; Id: 6 А; Корпус: DPAK (TO-252) | В наличии | 32.14 руб./шт. |
|
WMO08N60C4 WayOn
Полная карточка товара
MOSFET транзистор WMO08N60C4; SJ-MOS C4 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,78 Ом; Qg: 7,3 нКл; Id: 6 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Добавить в избранное
В наличии 5 Штук
20 Штук в Ленте
от 1 шт.
32.14 руб./шт.
|
|||
MOSFET транзистор IPD65R650CEATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD65R650CEATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 650 мОм; Qg: 23 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPD65R650CEATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 650 мОм; Qg: 23 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.