Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
IPD60R950C6ATMA1 Infineon
Артикул
Производитель
Спецификация:
MOSFET транзистор IPD60R950C6ATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD60R950C6ATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 950 мОм; Id: 12 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 13 нКл.
от 1 шт
47.68 руб./шт
от 47.68 руб. /шт
Производитель
Серия
Спецификация:
MOSFET транзистор IPD60R950C6ATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD60R950C6ATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 950 мОм; Id: 12 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 13 нКл.
Основные характеристики
Qg
Id
V(br)dss
Полярность
Rds(on)
Корпус
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Аналоги (1)
Код товара у производителя
WMO07N60C4
Производитель
WayOn
Описание
WMO07N60C4 WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 1.14 Ом; Id: 5 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 5.2 нКл
Наличие
9 895 шт
Цена от
17.18 /шт
WMO07N60C4 WayOn
WMO07N60C4 WayOn
Производитель:
Артикул:
00416503
В упаковке:
1
Тип упаковки:
Катушка
В наличии
9 895 шт
от 1 шт
29.19 руб./шт
от 250 шт
22.33 руб./шт
от 2 500 шт
17.18 руб./шт
кратность
от 17.18 /шт