- Артикул: 00349869
- Количество в упаковке: 10
IPD80R450P7ATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Best-in-class FOM R DS(on) * E oss; reduced Q g, C iss and C oss
Best-in-class DPAK R DS(on) of 280mΩ
Best-in-class V (GS)th of 3V and smallest V (GS)th variation of ± 0.5V
Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)
Best-in-class quality and reliability
Fully optimized portfolio
MOSFET транзистор N-Channel, 800В, 450 мОм, 24 нКл, DPak (TO-252)
Best-in-class DPAK R DS(on) of 280mΩ
Best-in-class V (GS)th of 3V and smallest V (GS)th variation of ± 0.5V
Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)
Best-in-class quality and reliability
Fully optimized portfolio
MOSFET транзистор N-Channel, 800В, 450 мОм, 24 нКл, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPD80R450P7ATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001422626
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
800 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
450 мОм
Qg
(заряд затвора)
24 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Упаковка
Количество в упаковке
10
IPD80R450P7ATMA1 Infineon
Аналоги
| WayOn | MOSFET транзистор WMO13N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 20 нКл; Id: 13 А; Корпус: DPAK (TO-252) | В наличии | 94.86 руб./шт. |
|
WMO13N80M3 WayOn
Полная карточка товара
MOSFET транзистор WMO13N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,48 Ом; Qg: 20 нКл; Id: 13 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Добавить в избранное
В наличии 49 Штук
50 Штук в Ленте
от 1 шт.
94.86 руб./шт.
|
|||
| WayOn | MOSFET транзистор WMO12N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,62 Ом; Qg: 19 нКл; Id: 12 А; Корпус: DPAK (TO-252) | В наличии | 82.68 руб./шт. |
|
WMO12N80M3 WayOn
Полная карточка товара
MOSFET транзистор WMO12N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0,62 Ом; Qg: 19 нКл; Id: 12 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Добавить в избранное
В наличии 2994 Штуки
2500 Штук в Катушке
от 1 шт.
82.68 руб./шт.
|
|||
MOSFET транзистор IPD80R450P7ATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD80R450P7ATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 450 мОм; Qg: 24 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPD80R450P7ATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 450 мОм; Qg: 24 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.