WMO12N80M3 WayOn
Артикул
00413247
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
MOSFET транзистор WMO12N80M3, производителя WayOn
Ключевые параметры компонента WMO12N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0.62 Ом; Id: 12 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 19 нКл.
Ключевые параметры компонента WMO12N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0.62 Ом; Id: 12 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 19 нКл.
Читать подробнее
кратность 1
от 1 шт
93.31 руб./шт
от 250 шт
71.35 руб./шт
от 2 500 шт
54.88 руб./шт
от 54.88 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 54.88/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 2 500 шт
54.88 руб. /шт
от 250 шт
71.35 руб. /шт
от 1 шт
93.31 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
277 шт
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
MOSFET транзистор WMO12N80M3, производителя WayOn
Ключевые параметры компонента WMO12N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0.62 Ом; Id: 12 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 19 нКл.
Ключевые параметры компонента WMO12N80M3: SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0.62 Ом; Id: 12 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 19 нКл.
Читать подробнее
Основные характеристики
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя WayOn в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Аналоги (2)
|
Код товара у производителя
|
Производитель
|
Описание
|
Наличие
|
Цена от
|
|
|---|---|---|---|---|---|
|
Код товара у производителя
IPD80R450P7ATMA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IPD80R450P7ATMA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 450 мОм; Id: 11 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 24 нКл |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IPD80R600P7ATMA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IPD80R600P7ATMA1 Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 600 мОм; Id: 8 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 20 нКл |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
